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驱动芯片内部比较器的翻转电压阈值为2V(参阅负轨),超3插件在SiCMOSFET关断期间,超3插件当门极电压低于-2V(负轨为-4V)时,内部比较器翻转,MOSFET(T5)被翻开,使得门极以更低阻抗拉到负电源轨,然后确保SiCMOSFET到达按捺误注册的作用。原理剖析:站W主题当下管Q2坚持封闭,在上管Q1注册瞬间,桥臂中点电压快速上升,桥臂中点dv/dt的水平,取决于上管Q1的注册速度。
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